📊 深度下鑽與互動分析

本章節只做一件事：說明發現 OOC 紅點後，如何從彙總值一路鑽到 Raw Sample 與 MES 脈絡。雙圖概念見 dual-chart-philosophy。

讀完本篇你能回答

• OOC 根因分析的三層路徑是什麼？
• 怎麼區分量測噪聲 vs 製程偏移？
• X-bar 與 R 圖如何聯動？

1. 三層下鑽

層級	看到什麼
1	$\bar{X}$、$R$、觸發規則
2	組內分佈、Wafer Map
3	機台、操作員、環境紀錄

2. 局部重估

框選 ROI 可即時重算該區間的 $C_{pk}$ 與 $\bar{\bar{X}}$，評估改善是否顯著。

3. 跨圖聯動

點選 X-bar 異常點 → R 圖同步跳轉同一時刻；多量測項同步時間軸比對。

實務提醒

可暫時隱藏疑似壞點觀察 Cpk 變化（排除法），但正式結案需走 Excluded 流程見 disposition-state-machine。

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